第一章 绪论 ...
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图3-2是Si基片上沉积态GaP薄膜的俄歇电子能谱（a）以及同一薄膜表面经Ar+溅射清洗1分钟后的俄歇电子能谱（b）。从图中可以看出，除了Ga、P峰之外，还出现明显的O峰；薄膜表面经Ar+溅射清洗后，O峰仍然存在，但强度减弱。这表明不仅薄膜在从溅射室转移到俄歇分析室的过程中吸附了空气中的氧，而且在薄膜沉积过程中，也有少量的氧原子进入薄膜中。采用X射线色散能谱仪（XEDS）对GaP单晶靶中各元素的原子百分比进行了分析。表3-1是GaP单晶靶和GaP薄膜中各元素的原子百分比。从表中可以看出，GaP单晶靶材中有较多的氧存在（6.22atm%）,薄膜中的Ga和P元素的原子百分比接近于1：1，这 ...
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- 接绪论1111
(zhao gdifang jie shang _)其常用算法有最小二乘法、速下降法、共轭斜量法、变尺度法、单纯形法等等；另一类是不需初始结构而要预先给顶各膜层光学厚度变化范围的综合法，其常用算法包括统计试验法和彻底搜索法。综合法克服了自动修正所得最优结果对初始结构的敏感性问题，但一般计算量大。 ...
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- 第3章2
采用ＰＦＣ充电泵电路的一大优点就是其结构简单性、容易设计。事实上选择合适的参数Ｌ、Ｃ组合，就能很快地把一个开关电源转换成ＰＦＣ型电源，并可通过调节电容Ｃ的值得到最佳的输入电流ＩMP波形。 ...
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- 第3章1
U1为输入电压基波有效值；γ为输入电流的波形畸变因数；cosф１为基波电压和基波电流的位移因数。可见，功率因数由输入电流的波形畸变因数γ以及基波电压和基波电流的位移因数cosф１决定。从上式可见，抑制谐波分量即可达到减小γ 提高功率因数的目的。因此，可定性的说谐波的抑制电路就是功率因数校正电路。 ...
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- 第2章2
U1为输入电压基波有效值；γ为输入电流的波形畸变因数；cosф１为基波电压和基波电流的位移因数。可见，功率因数由输入电流的波形畸变因数γ以及基波电压和基波电流的位移因数cosф１决定。从上式可见，抑制谐波分量即可达到减小γ 提高功率因数的目的。因此，可定性的说谐波的抑制电路就是功率因数校正电路。 ...
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- 崔亮的译文1续B
随表的两个CCDs构成一个目标交叉，观察任意的一个目标交叉，设它由CCDi和CCDj组成。（0≤i≤j≤n-1）。 ...
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- 崔亮的译文1续
随表的两个CCDs构成一个目标交叉，观察任意的一个目标交叉，设它由CCDi和CCDj组成。（0≤i≤j≤n-1）。 ...