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图3-2是Si基片上沉积态GaP薄膜的俄歇电子能谱（a）以及同一薄膜表面经Ar+溅射清洗1分钟后的俄歇电子能谱（b）。从图中可以看出，除了Ga、P峰之外，还出现明显的O峰；薄膜表面经Ar+溅射清洗后，O峰仍然存在，但强度减弱。这表明不仅薄膜在从溅射室转移到俄歇分析室的过程中吸附了空气中的氧，而且在薄膜沉积过程中，也有少量的氧原子进入薄膜中。采用X射线色散能谱仪（XEDS）对GaP单晶靶中各元素的原子百分比进行了分析。表3-1是GaP单晶靶和GaP薄膜中各元素的原子百分比。从表中可以看出，GaP单晶靶材中有较多的氧存在（6.22atm%）,薄膜中的Ga和P元素的原子百分比接近于1：1，这个结果与Desmond R.Gibson等人结果基本一致（与标准化学计量比的偏差小与10%），薄膜中氧元素则主要是不纯的靶材所致。有图
对Si基片沉积的GaP薄膜进行了XPS分析，图3-3是基片上沉积GaP薄膜中镓、磷元素的电子结合能。从图中可以看出，沉积薄膜中Ga3d、P2p元素的电子结合能分别为19.0eV和128.8eV与GaP化合物中的磷、镓元素的电子结合能一致。因此，AES和XPS分析分别从沉积薄膜中的镓、磷元素的原子比例和电子结合能证实了沉积的薄膜是GaP化合物。